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單機架邁向兆瓦級 英飛凌瞄準AI數據中心150美元/千瓦功率半導體“含金量”
作者:氮化鎵代理商 發布時間:2026-05-11 14:18:23 點擊量:
AI算力軍備競賽白熱化,數據中心的能源消耗正經歷一場結構性變革。單機架功率從當前的幾十千瓦向500kW乃至兆瓦(MW)級別躍遷,已成為不可逆的趨勢。在這一背景下,功率半導體巨頭英飛凌(Infineon)設定了一個極具野心的行業目標,將AI數據中心每千瓦功率對應的半導體價值量提升至150美元。這一指標不僅遠高于傳統數據中心,更預示著AI基礎設施的“含硅量”將迎來指數級增長。

AI集群的算力密度與其功耗正相關。為了支撐數萬顆GPU的協同工作,單機架的功率需求正突破物理極限。英飛凌電源與傳感系統事業部總裁 Adam White 指出,未來AI服務器機架功率將從目前的數百千瓦穩步攀升至1MW。這種功率密度的激增,對電源分配、散熱和電能轉換效率提出了前所未有的要求。傳統的48V架構因電流過大導致損耗劇增,迫使行業向800V高壓直流(HVDC)架構遷移,而這正是推高功率半導體價值的核心驅動力。
在傳統數據中心中,功率半導體的價值占比相對較低。然而,在AI數據中心,這一邏輯被徹底顛覆。英飛凌測算認為,每千瓦150美元的功率半導體含量是一個符合未來高功率架構的保守目標。這一數字的背后,是AI服務器對電能質量、轉換效率和功率密度的極致追求。一個1MW的AI機架,僅功率半導體(包括GaN、SiC、硅基器件及配套控制器)的價值就可能達到15萬美元。這涵蓋了從電網接入、高壓直流轉換到GPU主板供電的全鏈路。為了實現這一價值密度,數據中心必須大規模采用氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬禁帶半導體。它們的高頻特性是實現高效、緊湊型電源模塊的關鍵,也是150美元/千瓦目標的技術底座。
為了承載兆瓦級的功率,數據中心的供電架構正在發生根本性重構。英飛凌與NVIDIA等廠商推動的Sidecar(外掛電源)架構和集中式HVDC供電,將電源管理與計算單元分離。這種架構不僅提升了可靠性,更增加了對高端功率模塊、固態斷路器和智能熔斷器的需求。
據行業估算,若全球每年新增30GW的AI算力,僅此一項就將帶來約31億美元的功率半導體潛在市場空間。英飛凌憑借其在硅、GaN、SiC三大技術路線的全矩陣產品組合,正試圖在這一高增長賽道中占據主導地位。隨著機架功率向MW水平擴展,150美元/千瓦不僅是技術指標,更將成為AI數據中心電力系統的“新單價”。
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