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2026年5月8日，美國國際貿易委員會（ITC）就備受業界關注的第337-TA-1414號調查作出最終裁定，英諾賽科（Innoscience）在涉及其氮化鎵（GaN）功率器件的專利訴訟中取得全面勝利。ITC全體委員一致認定，英諾賽科當前在美國銷售的全部GaN功率器件產品，未侵犯英飛凌（Infineon）主張的兩項核心專利。這一裁決徹底掃清了英諾賽科產品在美國市場的準入障礙，確認了其繼續在美國進口和銷售的合法權利。

ITC的裁定明確，英諾賽科的現有產品未侵犯英飛凌的美國第9,070,755號專利（涉及電極設計）和第9,899,481號專利（涉及封裝設計）。委員會僅認定，第9,899,481號專利中的兩項權利要求有效，但僅被英諾賽科早已停止生產和銷售的歷史舊產品所侵權。因此，與此相關的有限排除令對英諾賽科當前及未來的美國業務“不具有實質影響”。

此次勝訴不僅是英諾賽科一家的勝利，更是中國第三代半導體產業在全球知識產權博弈中的一次關鍵突破。它有力證明了英諾賽科的技術源于獨立自主的研發與創新，而非簡單的模仿。ITC的終裁挫敗了競爭對手試圖通過訴訟手段限制合法競爭的企圖，為國產GaN器件在美國乃至全球市場的拓展鋪平了道路。

裁決為功率半導體行業的競爭確立了清晰基調，市場的未來應由更優的性能、更高的效率來決定，而非無端的法律纏斗。隨著英諾賽科繼續穩定地向全球客戶供貨，此次勝利將增強下游客戶采用國產高性能GaN方案的信心，進一步推動氮化鎵技術在快充、數據中心、新能源等領域的普及。